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1.2V Drive Pch MOSFET
EM6J1
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
EMT6
Features
1) Two Pch MOSFET are put in EMT6 package.
2) High-speed switching.
3) Ultra low voltage drive (1.2V drive).
4) Built-in G-S Protection Diode.
Abbreviated symbol : J01
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Type
Package
Code
Taping
T2R
(6)
(5)
? 1
(4)
Basic ordering unit (pieces)
8000
EM6J1
? 2
? 1
? 2
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2.>
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 20
± 10
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body Diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 200
± 800
? 100
? 800
mA
mA
mA
mA
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
150
120
150
? 55 to + 150
mW / TOTAL
mW / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw 10 μ s, Duty cycle 1%
? 2 Each terminal mounted on a recommended land
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
Rth (ch-a)
?
833
1042
° C / W / TOTAL
° C / W / ELEMENT
? Each therminal mounted on a recommended land
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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